"애널리스트, 중국 CXMT의 주장이 마이크론 테크놀로지와 샌디스크에 위협 안 되는 7가지 이유" Investing.com - 중국의 CXMT가 연말까지 기존보다 3분의 1 작은 4F² 셀 설계를 적용한 DDR5 RDIMM을 출시하겠다고 주장하고 있지만, 미즈호(Mizuho)의 TMT 전문 애널리스트 조던 클라인(Jordan Klein)은 이번 발표가 마이크론 테크놀로지, SanDisk, SK하이닉스, 삼성전자 투자자들에게 아무런 변화도 가져오지 않는다고 밝혔다. 클라인은 고객에게 보낸 노트에서 "CXMT 고위 경영진이 새로운 첨단 DDR5 설계 로드맵을 발표했다고 해서 MU, SNDK, SKHY 또는 삼성을 보유하고 있다면 매도하거나 패닉에 빠질 이유가 없습니다. 제 판단으로는 단기적으로 달라진 것이 없습니다. 주의 깊게 지켜봐야 할 사안이지만, 그 이상은 아닙니다"라고 밝혔다. CXMT의 로드맵은 수직 서라운딩 게이트 트랜지스터(vertical surrounding gate transistor)와 결합된 4F² 셀 아키텍처를 사용하는 DDR5 RDIMM을 중심으로 하며, 2026년 말까지 제품 출시를 목표로 하고 있다. 미즈호가 정리한 CXMT의 주장에 따르면, 해당 셀은 현재 DDR5 설계에 사용되는 6F² 구조보다 약 3분의 1 작다. 클라인은 이번 발표가 경쟁 위협에 한참 못 미치는 이유를 일곱 가지로 제시했다. 가장 핵심적인 것은 일정 불일치 문제다. 삼성이 유사한 4F² DRAM 기술의 양산 목표 시점으로 알려진 것은 2028년인 반면, CXMT는 2026년 말 제품 출시를 내세우고 있다. 클라인은 이 두 가지 이정표를 직접 비교할 수 없다고 주장한다. "연말 제품 출시는 삼성의 2028년 양산 목표와 직접 비교할 수 없습니다. 출시가 곧 제조 성숙도, 수율, 또는 원가 경쟁력을 의미하지는 않습니다"라고 그는 밝혔다. 일부 메모리 투자자들을 불안하게 만든 공급 과잉 우려에 대해서도 클라인은 회의적인 시각을 유지했다. "CXMT는 4F² 제품에 대한 양산 성공이나 검증된 수율 및 성능을 아직 입증하지 못했기 때문에, 공급 과잉이 임박했다고 가정하는 것은 시기상조입니다"라고 그는 지적했다. CXMT는 4F² 서버 RDIMM에 대한 완전한 사양, 검증된 수율, 고객 인증 결과, 또는 상업적 규모의 출하 약정을 공개하지 않은 상태다. 클라인은 또한 셀 크기가 작아진다고 해서 자동으로 칩 비용이 낮아지는 것은 아니라는 점도 반박했다. 공정 복잡성, 수율, 통합 등 여러 요소가 최종 원가에 영향을 미치는데, CXMT는 이 분야에서 아직 경쟁력을 입증하지 못했다는 것이다. 그는 또한 문제의 제품이 AI 가속기 랙의 핵심인 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)가 아닌 일반 서버 DRAM이라는 점을 강조했다. HBM은 GPU와 ASIC 기반의 AI 가속기에 사용되는 적층형 메모리 아키텍처다. 이러한 차이로 인해 CXMT의 단기적 영향력은 주요 메모리 공급업체들의 프리미엄 밸류에이션을 이끌어온 AI 컴퓨팅 인프라 구축과는 거리가 멀다. 주목할 점은 CXMT의 4F² 야망이 중국만의 것이 아니라는 사실이다. 미즈호는 삼성과 SK하이닉스 모두 유사한 DDR5 4F² 설계를 추진 중이라고 지적하며, 이 기술 자체가 중국만의 돌파구가 아닌 업계 전반의 전환임을 강조했다. 클라인이 "보다 균형 잡힌 시각"이라고 평가한 디지타임스(Digitimes)의 보도도 CXMT의 기술 진전 주장에 찬물을 끼얹은 것으로 전해지며, 그의 회의적인 시각에 힘을 실어주고 있다. 그럼에도 클라인은 장기적인 경쟁 구도를 완전히 무시하지는 않는다. "CXMT나 낸드(NAND) 분야의 경쟁사인 YMTC를 무시해서는 안 됩니다. 저도 그렇게 하지 않겠습니다"라고 밝히며, CXMT가 일반 DRAM과 더 첨단화된 메모리 모두를 중국 내수 고객에게 공급하기 위해 공격적인 투자를 이어가고 있다고 덧붙였다. https://kr.investing.com/news/stock-market-news/article-2125239